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VBM1208N 产品详细

产品简介:

VBM1208N是一款单N沟道MOSFET,适用于适用于电源模块、电机驱动模块和充放电模块等领域,为这些模块提供稳定可靠的功率开关功能,从而推动各种电力和电子设备的发展和应用。其高额定漏极-源极电压和漏极电流能够满足各种应用场景的需求,而TO220封装形式使其易于安装和散热。

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产品参数:

参数:
- 类型: 单N沟道MOSFET
- 额定漏极-源极电压 (VDS): 200V
- 门极-源极电压 (VGS) (±V): ±20V
- 阈值电压 (Vth): 3V
- 在VGS=10V时的漏极-源极导通电阻 (mΩ): 58mΩ
- 额定漏极电流 (ID): 35A
- 技术: 沟道结构 (Trench)
封装: TO220

领域和模块应用:


示例应用:
1. **电源模块**:
VBM1208N适用于电源模块中的开关电源、DC-DC变换器和逆变器。由于其高额定漏极-源极电压和漏极电流,可用于各种功率级别的电源系统,如工业电源、电信设备和家用电器。

2. **电机驱动模块**:
在电机驱动模块中,VBM1208N可以作为电机控制器中的功率开关元件。其低漏极-源极导通电阻和高额定漏极-源极电压,使其能够承受电机启动时的高压和高电流,同时具有较低的导通损耗,提高了系统的效率。

3. **充放电模块**:
在充放电模块中,VBM1208N可用于电池管理系统和充电器中的功率开关。其高额定漏极-源极电压和漏极电流特性,使其能够承受电池充放电过程中的高电压和电流,并具有较低的导通压降,有助于提高充放电效率和电池寿命。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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