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VBM1204N 产品详细

产品简介:

VBM1204N具有较高的漏极电流和额定漏极-源极电压,适合用于电动汽车充电桩中的充电模块。该器件具有优异的功率特性和高效的能量转换能力,也可适用于功率开关模块。

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产品参数:

参数:
- 类型:Single N
- 额定漏极-源极电压(VDS):200V
- 额定栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):3V
- 栅极-源极电压为10V时的漏极电阻(mΩ):46
- 最大漏极电流(ID):50A
- 技术:Trench
封装:TO220

领域和模块应用:

产该产品适用于以下领域和模块:

1. **电源管理模块**:
VBM1204N适用于各种电源管理模块,如开关电源、稳压器等。其高额定漏极-源极电压和漏极电流能力,以及低漏极电阻,能够提供稳定的电源输出和高效的能量转换,适用于工业、通信、消费电子等领域的电子设备。

2. **电动汽车充电桩**:
由于VBM1204N具有较高的漏极电流和额定漏极-源极电压,适合用于电动汽车充电桩中的充电模块。它可以支持高功率的充电输出,实现电动汽车的快速充电和长续航里程。

3. **工业控制设备**:
该型号MOSFET可用于工业控制设备中的电力控制模块,如电机驱动、温度控制等。其高性能和可靠性能够满足工业环境中的高功率、高温和高电流要求,提高工业生产效率和控制精度。

4. **太阳能逆变器**:
VBM1204N适用于太阳能逆变器中的功率开关模块,具有优异的功率特性和高效的能量转换能力。其高额定漏极-源极电压和漏极电流能力,以及Trench技术,能够实现太阳能电能的高效转换和稳定输出,提高太阳能发电系统的整体效率。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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