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VBM1203M 产品详细

产品简介:

VBM1203M是一款单N沟道MOSFET,适用于各种低功耗和中功率应用。其适中的漏极-源极电压、低阈值电压和适度的导通电阻使其在多种场合下都具备良好的性能。

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产品参数:

参数:
- 类型: 单N沟道MOSFET
- 额定漏极-源极电压(VDS): 200V
- 额定栅极-源极电压(VGS): ±20V
- 阈值电压(Vth): 3V
- 栅-源电压为4.5V时的漏极-源极导通电阻(mΩ): 310mΩ
- 栅-源电压为10V时的漏极-源极导通电阻(mΩ): 270mΩ
- 漏极电流(ID): 10A
- 技术: 沟道栅结构
- 封装: TO220

领域和模块应用:

以下是该产品适用的一些领域和对应的模块:

1. 电源管理模块:
VBM1203M可用于设计各种低功耗电源管理模块,如电源开关、电压调节器和电池充放电控制器。其适中的漏极-源极电压和低阈值电压使其在便携式电子设备、智能家居和工业自动化中得到广泛应用。

2. 电机控制模块:
由于其适度的导通电阻和适中的漏极-源极电压,VBM1203M适用于各种中功率电机控制模块的设计。可用于工业机械、机器人、电动车辆等领域的电机驱动器和变频器。

3. 照明控制模块:
在LED照明和传统照明控制模块中,VBM1203M可以作为开关器件用于设计调光器和照明控制器。其低导通电阻和可靠的性能使其在室内和室外照明系统中广泛应用,包括家庭照明、商业照明和景观照明等领域。

4. 汽车电子模块:
在汽车电子系统中,VBM1203M可用于设计汽车照明、电动窗控制、座椅调节和发动机控制等模块。其高漏极-源极电压和稳定的性能使其成为汽车电子系统中的重要组成部分。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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