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VBM1202N 产品详细

产品简介:

VBM1202N是一款单通道N型MOS场效应管(Single N MOSFET),适用于最高200V的电路。其栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为4V,漏极-源极导通电阻在VGS=10V时为17mΩ,漏极电流(ID)额定为80A。采用Trench技术,具有出色的性能和稳定性。封装形式为TO220,便于安装和散热。

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产品参数:

参数:
- MOSFET类型:Single N
- 额定漏极-源极电压(VDS):200V
- 额定栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):4V
- 在VGS=10V时的漏极-源极导通电阻(mΩ):17
- 漏极电流(ID):80A
- 技术:Trench
封装:TO220

领域和模块应用:

**应用简介及示例:**
1. **电动车电机驱动模块:** VBM1202N适用于电动车的电机驱动模块,如电机控制器和逆变器。其高额定漏极-源极电压和漏极电流能够满足电动车对动力输出和控制的要求,TO220封装形式有助于散热和布线。

2. **工业高压电源模块:** 在工业领域,VBM1202N可用于高压电源模块,如电力逆变器和直流-直流变换器。其高电压和电流特性能够支持工业设备对电能转换和控制的需求,TO220封装形式适用于工业环境中的安装和散热需求。

3. **太阳能逆变器模块:** 太阳能逆变器需要处理高电压和大电流,而VBM1202N的参数符合这些要求。它可用于太阳能逆变器模块中,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。TO220封装形式适用于户外环境的安装,并能有效散热,保证逆变器的稳定运行。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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