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VBM1202M 产品详细

产品简介:

VBM1202M是一款由VBsemi生产的单N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该器件具有以下详细参数:

- VDS(V): 200V - 漏极-源极电压
- VGS(±V): 20V - 栅极-源极电压
- Vth(V): 3V - 阈值电压
- VGS=10V(mΩ): 200mΩ - 在栅极-源极电压为10V时的导通电阻
- ID (A): 14A - 漏极电流
- Technology: Trench - 使用沟槽技术制造
- 封装: TO220 - TO220封装形式

VBM1202M MOSFET适用于需要中等功率和中等电压的应用,包括电源模块、汽车电子模块和工业自动化模块等领域。

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产品参数:

参数: Single N
VDS(V): 200
VGS(±V): 20
Vth(V): 3
VGS=10V(mΩ): 200
ID (A): 14
Technology: Trench
封装: TO220

领域和模块应用:


VBM1202M适用于多种领域和模块,例如:

1. 电源模块: 由于其适中的漏极-源极电压(200V)和漏极电流(14A)能力,VBM1202M适用于电源模块,如开关电源、逆变器和DC-DC转换器。其沟槽技术制造的优势在于提高了器件的开关速度和耐压性能,从而实现了高效能量转换和稳定性能。

2. 汽车电子模块: 该器件在汽车电子领域具有广泛应用,例如汽车电动驱动器、发动机控制单元(ECU)、制动系统和转向系统。其高性能和稳定性能使其能够满足汽车电子模块对可靠性和耐用性的要求。

3. 工业自动化模块: VBM1202M适用于工业自动化领域的功率电子模块,例如PLC(可编程逻辑控制器)、驱动器、变频器和电机控制器。其高效能量转换和可靠性能使其能够稳定运行在工业环境中。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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