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VBM1201M 产品详细

产品简介:

VBM1201M是一款单N沟道MOSFET,适用于各种电源管理和功率控制应用。其高额定漏极-源极电压、低阈值电压和高导通电流使其在多种场合下都表现出色。

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产品参数:

参数:
- 类型: 单N沟道MOSFET
- 额定漏极-源极电压(VDS): 200V
- 额定栅极-源极电压(VGS): ±20V
- 阈值电压(Vth): 3V
- 栅-源电压为10V时的漏极-源极导通电阻(mΩ): 110mΩ
- 漏极电流(ID): 30A
- 技术: 沟道栅结构
- 封装: TO220

领域和模块应用:

以下是该产品适用的一些领域和对应的模块:

1. 电源转换器模块:
VBM1201M可用于设计开关电源和直流-直流变换器模块。其高漏极-源极电压和低导通电阻使其在高效能量转换方面具有优势。例如,用于电动汽车充电桩或太阳能逆变器的直流-直流变换器模块。

2. 电机驱动模块:
由于其高漏极-源极电压和高导通电流,VBM1201M适用于电机驱动器模块的设计。可用于工业自动化设备、家用电器和电动工具等领域的直流电机驱动模块。

3. 电源开关模块:
在电源开关模块中,VBM1201M可用于设计高效的开关电源、逆变器和功率放大器。其低阈值电压和高导通电流使其在高频开关应用中表现出色,例如用于通信设备和工业控制系统的开关电源模块。

4. LED照明模块:
对于LED照明模块,VBM1201M可以用作LED驱动器模块的关键元件。其高电压承受能力和低导通电阻使其能够提供稳定的电流输出,用于室内和室外LED照明系统。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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