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VBM1201K 产品详细

产品简介:

VBM1201K是一款单N沟道MOSFET,具有200V的额定漏极-源极电压和5A的额定漏极电流。采用TO220封装形式,适用于中低功率电力和电子应用,具有良好的热特性和可靠性。

VBM1201K适用于电源管理模块、马达驱动模块和照明控制模块等中低功率电力和电子应用,为这些模块提供稳定可靠的功率开关功能,推动中低功率应用领域的发展和应用。

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产品参数:

参数:
- 类型: 单N沟道MOSFET
- 额定漏极-源极电压 (VDS): 200V
- 门极-源极电压 (VGS) (±V): ±20V
- 阈值电压 (Vth): 3V
- 在VGS=10V时的漏极-源极导通电阻 (mΩ): 910mΩ
- 额定漏极电流 (ID): 5A
- 技术: 沟道结构 (Trench)
封装: TO220

领域和模块应用:

示例应用:
1. **电源管理模块**:
VBM1201K适用于电源管理模块中的稳压器和开关电源。其高额定漏极-源极电压和低阈值电压,使其适用于各种中低功率电源系统,如家用电器、工业控制设备和仪器仪表。

2. **马达驱动模块**:
在中低功率电机驱动模块中,VBM1201K可用作电机控制器中的功率开关元件。其高漏极-源极导通电阻和额定漏极电流特性,使其适用于电动工具、小型机械和自动化设备等领域。

3. **照明控制模块**:
在LED照明控制模块中,VBM1201K可用作LED驱动电路中的功率开关。其高漏极-源极电压和低漏极电流特性,适用于中低功率LED照明系统,如家居照明、商业照明和景观照明。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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