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VBM1158N 产品详细

产品简介:

VBM1158N是一款单N型的Trench技术MOSFET,具有150V的漏极-源极电压(VDS),±20V的门极-源极电压(VGS),2.5V的阈值电压(Vth),以及75毫欧的导通电阻。它能够承受最大20安培的漏极电流(ID)。该器件采用TO220封装。

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产品参数:

参数:
- 类型: 单N型
- VDS(V): 150
- VGS(±V): ±20
- 阈值电压(V): 2.5
- VGS=10V时的导通电阻(毫欧): 75
- 最大漏极电流(ID) (安培): 20
- 技术: Trench
封装: TO220

领域和模块应用:

**应用简介:**
1. **电源转换器**: 由于VBM1158N具有适中的漏极电流和导通电阻,适用于电源转换器和DC-DC转换器模块,例如适配器、UPS系统等。

2. **汽车电子**: 在汽车电子领域,该器件可用于电动汽车的电池管理系统、充电器和驱动控制器,以实现高效的电能管理和控制。

3. **家用电器**: 该器件可用于家用电器产品中的电源管理模块,例如空调、冰箱、洗衣机等,以实现高效率和稳定的电源供应。

4. **工业自动化**: VBM1158N适用于工业自动化领域中的电机驱动器、PLC系统和电源模块,确保设备的可靠性和高效运行。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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