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VBM1152N 产品详细

产品简介:

VBM1152N是一款单N型的Trench技术MOSFET,具有150V的漏极-源极电压(VDS),±20V的门极-源极电压(VGS),3V的阈值电压(Vth),以及18毫欧的导通电阻。它能够承受最大70安培的漏极电流(ID)。该器件采用TO220封装。

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产品参数:

参数:
- 类型: 单N型
- VDS(V): 150
- VGS(±V): ±20
- 阈值电压(V): 3
- VGS=10V时的导通电阻(毫欧): 18
- 最大漏极电流(ID) (安培): 70
- 技术: Trench
封装: TO220

领域和模块应用:

**应用简介:**
1. **电源开关模块**: 由于VBM1152N具有适中的漏极电流和导通电阻,适用于各种电源开关模块,包括低至中功率的直流-直流转换器和电源管理系统。

2. **LED照明**: 该器件可用于LED照明驱动电路中的功率开关模块,确保LED灯具的高效率和可靠性。

3. **汽车电子**: 在汽车电子领域,VBM1152N可用于电池管理系统、电动汽车驱动器和车载充电装置等模块中,以实现高效的电力管理和控制。

4. **工业控制**: 由于其可靠性和适中的电流承受能力,该器件适用于工业控制系统中的功率开关模块,如PLC(可编程逻辑控制器)和传感器控制器。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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