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VBM1151N 产品详细

产品简介:

VBM1151N是vbsemi推出的一款单晶N沟道场效应管, 采用了Trench技术和 TO220封装。适用于多种领域和模块。

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产品参数:

产品型号: VBM1151N
品牌: VBsemi
参数:
- 单晶N沟道场效应管
- 额定漏极-源极电压(VDS): 150V
- 额定栅极-源极电压(VGS)(±V): ±20V
- 阈值电压(Vth): 3V
- VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ): 9
- 最大漏极电流(ID): 100A
- 技术: Trench
封装: TO220

领域和模块应用:

该产品适用于以下领域和模块:

1. 电源模块:
VBM1151N场效应管具有150V的额定漏极-源极电压和100A的最大漏极电流,适合用于各种电源模块,包括直流-直流变换器和交流-直流变换器。它可以在工业设备、汽车电子和通信设备等领域中提供稳定可靠的电源转换功能。

2. 汽车电子控制模块:
由于其高性能特性和可靠性,VBM1151N场效应管非常适合用于汽车电子控制模块,如发动机控制单元(ECU)和电动汽车电池管理系统(BMS)。它可以提供高效的电力管理和精确的电流控制,确保车辆系统的稳定性和安全性。

3. 工业自动化模块:
该产品的Trench技术和低漏极电阻使其非常适合用于工业自动化模块,例如PLC控制器和工业机器人。它能够提供可靠的电流传输和快速的响应速度,满足工业环境中的高要求。

4. LED照明驱动模块:
VBM1151N场效应管还可以用于LED照明驱动模块,如LED驱动电源和照明控制器。它可以提供稳定的电压输出和高效的能量转换,确保LED照明系统的长期稳定运行。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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