MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBM11515 产品详细

产品简介:

VBM11515是一款单通道N型MOS场效应管(Single N MOSFET),适用于最高150V的电路。其栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为3V,漏极-源极导通电阻在VGS=10V时为12mΩ,漏极电流(ID)额定为80A。采用Trench技术,具有优异的性能和稳定性。封装形式为TO220,易于安装和散热。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

参数:
- MOSFET类型:Single N
- 额定漏极-源极电压(VDS):150V
- 额定栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):3V
- 在VGS=10V时的漏极-源极导通电阻(mΩ):12
- 漏极电流(ID):80A
- 技术:Trench
封装:TO220

领域和模块应用:

**应用简介及示例:**
1. **电源开关模块:** VBM11515适用于电源开关模块,如电源开关器件和直流-直流变换器。其高电压和电流特性能够满足电源开关设备对电能转换和控制的要求,TO220封装形式有助于简化模块设计和安装。

2. **家用电器控制模块:** 在家用电器领域,VBM11515可用于控制模块,如变频器和电机控制器。其高性能和稳定性能够满足家用电器对功率控制和节能的要求,TO220封装形式便于在家用电器中进行布局和散热。

3. **工业电气设备模块:** VBM11515还适用于工业电气设备模块,如变频驱动器和电力控制器。其参数能够满足工业领域对电能转换和控制的严格要求,TO220封装形式适合工业环境中的安装和散热需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询