产品简介:
VBM112MR04是VBsemi生产的Single N型场效应晶体管，适用于各种电子应用。具有高电压容忍度和稳定性，可在不同应用场景中提供可靠性能。

详细参数说明:
- VDS(V): 最大漏极-源极电压为1200V。
- VGS(±V): 门极-源极电压范围为±30V。
- Vth(V): 阈值电压为3.5V。
- VGS=10V(mΩ): 在门极-源极电压为10V时，漏极-源极电阻为3500 mΩ。
- ID (A): 最大漏极电流为4A。
- Technology: 采用Plannar技术。