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VBM1106S 产品详细

产品简介:

VBM1106S是一款单N沟道MOSFET,具有100V的漏极-源极电压耐受能力。其特点包括低门源压降(Vth=2.5V)、低导通电阻(最低可达7mΩ),采用Trench技术制造,封装为TO220。

适用于需要高电压耐受能力、低导通电阻和稳定性的领域和模块,如电源模块、电动汽车电机控制、工业驱动器和光伏逆变器等。

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产品参数:

参数:
- 电压参数:
- VDS(V):100V
- VGS(±V):30V
- Vth(V):2.5V
- 电阻参数:
- VGS=10V时的导通电阻:7mΩ
- 最大电流:120A
- 技术:Trench
封装:TO220

领域和模块应用:

举例说明:
1. **电源模块**:VBM1106S适用于电源模块中的功率开关,能够在高压高电流的情况下提供稳定的电源输出,例如用于服务器电源、工业电源等领域。

2. **电动汽车电机控制**:在电动汽车中,VBM1106S可用作电机控制器中的关键部件,用于控制电动汽车的电机启停、速度调节等功能,确保电动汽车的安全和高效运行。

3. **工业驱动器**:在工业驱动器中,VBM1106S可用作关键的功率开关元件,例如变频器、风机控制器等,提供稳定的电源输出和电流控制。

4. **光伏逆变器**:在太阳能发电系统中,VBM1106S可用作逆变器的关键部件,用于将直流太阳能电池板产生的电能转换为交流电,确保逆变器的稳定性和效率。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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