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VBM1104N 产品详细

产品简介:

VBM1104N是VBsemi推出的单N沟道功率MOSFET,具有高性能和可靠性,适用于各种功率电子应用。其特点包括高漏极-源极电压和漏极电流能力,以及低阈值电压和漏极-源极电阻,适合要求高效率和高功率的电源和驱动器应用。

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产品参数:

**参数:**
- **类型:** Single N
- **最大漏极-源极电压 (VDS):** 100V
- **最大栅极-源极电压 (VGS):** ±20V
- **阈值电压 (Vth):** 1.8V
- **在VGS=4.5V时的漏极-源极电阻 (mΩ):** 38mΩ
- **在VGS=10V时的漏极-源极电阻 (mΩ):** 36mΩ
- **最大漏极电流 (ID):** 55A
- **技术:** Trench
- **封装:** TO220

领域和模块应用:

**举例说明:**
1. **电机驱动模块:**
VBM1104N可用作电机驱动模块中的功率开关,用于控制各种类型的电动驱动器,如电动汽车驱动器、工业机械驱动器等。其高漏极-源极电压和电流容量能够支持高功率电机的驱动,同时低阈值电压和漏极-源极电阻有助于降低功率损耗和提高系统效率。

2. **电源模块:**
在各种电源模块中,VBM1104N可用作开关电源模块中的功率开关器件,用于转换电源的直流电压。其高电压和电流能力能够支持大功率转换,同时低阈值电压和漏极-源极电阻有助于提高转换效率和减小功耗。

3. **太阳能逆变器模块:**
作为太阳能逆变器模块中的功率开关器件,VBM1104N能够提供稳定可靠的功率转换,将太阳能电池板收集到的直流电转换为交流电以供家庭或商业用途。其高漏极-源极电压和低阈值电压特性使其适用于各种规模的太阳能逆变器,从小型家庭系统到大型商业和工业应用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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