VBM1102M是一款单极性 N 型 MOSFET ，具体参数说明如下：
- **VDS（漏极-源极电压）：** 100V的额定电压使其适用于中等电压应用。
- **VGS（门极-源极电压）：** ±20V的额定电压提供了广泛的控制范围。
- **Vth（阈值电压）：** 1.5V的低阈值电压意味着可以通过较低的门极电压实现开关操作，有助于减少功耗。
- **VGS=10V时的漏极-源极导通电阻：** 180mΩ的导通电阻适用于中等功率应用。
- **ID（最大漏极电流）：** 16A的额定电流适用于中等功率应用。
- **技术：** 采用Trench技术，提供了更高的功率密度和更低的导通电阻。
- **封装：** TO220封装适用于需要较好散热性能的应用。