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VBM1101M 产品详细

产品简介:

VBsemi的VBM1101M是一款单N沟道功率MOSFET,适用于多种低功率功率电子应用。具有高性能和可靠性,特别适合要求高效率和低功率的电源和驱动器应用。

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产品参数:

**参数:**
- **类型:** Single N
- **最大漏极-源极电压 (VDS):** 100V
- **最大栅极-源极电压 (VGS):** ±20V
- **阈值电压 (Vth):** 1.8V
- **在VGS=10V时的漏极-源极电阻 (mΩ):** 127mΩ
- **最大漏极电流 (ID):** 18A
- **技术:** Trench
- **封装:** TO220

领域和模块应用:

**举例说明:**
1. **LED照明模块:**
VBM1101M可用于LED照明模块中的功率开关,控制LED灯的亮度和色温。其高漏极-源极电压和低阈值电压使其适合在LED灯具中提供稳定的功率驱动,从而实现高效、节能的照明解决方案。

2. **小型电子设备模块:**
在小型电子设备模块中,如手机充电器、电池管理模块等,VBM1101M可用作功率开关器件,用于控制电流和电压的变化。其低功率特性使其适合于小型电子设备中,有助于提高设备的能效和性能。

3. **电动工具控制模块:**
作为电动工具控制模块中的功率开关器件,VBM1101M能够提供稳定可靠的功率输出,用于控制电动工具的转速和功率。其高漏极-源极电压和电流容量能够支持各种电动工具的需求,同时低阈值电压和漏极-源极电阻有助于降低能量损耗和提高系统效率。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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