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VBL7603 产品详细

产品简介:

VBL7603是一款双N沟道场效应晶体管(MOSFET),主要参数包括耐压(VDS)为60V,门源电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为3V,以及在10V的门源电压下的导通电阻(RDSon)为2mΩ。其封装形式为TO263-7L。

VBL7603适用于高功率和高电压的场合,可广泛应用于各种大功率电子设备和模块中。

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产品参数:

产品型号:VBL7603
品牌:VBsemi
参数:
- Dual N+N
- VDS(V):60
- VGS(±V):20
- Vth(V):3
- VGS=10V时的导通电阻(mΩ):2
- ID (A):150
- Technology:Trench
封装:TO263-7L

领域和模块应用:

以下是该产品在不同领域和模块中的应用举例:

1. **电源开关模块**:由于VBL7603具有高功率特性和低导通电阻,适合用作电源开关模块中的功率开关器件,例如用于开关电源、电源逆变器和稳压器等。

2. **电动汽车驱动模块**:在电动汽车电动驱动系统中,VBL7603可以作为电机驱动模块中的功率开关器件,用于控制电机的启停、转向和速度调节,提高电动汽车的性能和效率。

3. **工业高频电源模块**:在工业高频电源系统中,VBL7603可用于高频开关电源模块和电力电子变流器等,实现高频电源的转换和控制功能。

4. **电力传输模块**:作为电力传输系统中的功率开关器件,VBL7603可以应用于电力电子变流器和电力调频设备等,实现电力传输和配电系统的高效转换和控制。

综上所述,VBL7603适用于各种需要高功率和高电压的电子设备和模块中,包括电源开关模块、电动汽车驱动模块、工业高频电源模块以及电力传输模块等。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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