VBL19R20S - VBsemi MOS管制造商

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VBsemi 的 VBL19R20S 是一款单 N 型场效应晶体管，具有 900V 的漏极-源极电压（VDS）、30V 的栅极-源极电压（VGS）、3.5V 的阈值电压（Vth），以及 20A 的漏极电流（ID）。采用 SJ_Multi-EPI 技术制造，封装为 TO263。

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产品参数：

详细参数说明：
- 品牌：VBsemi
- 产品型号：VBL19R20S
- 类型：单 N 型场效应晶体管
- VDS（漏极-源极电压）：900V
- VGS（栅极-源极电压）：30V
- Vth（阈值电压）：3.5V
- VGS=10V 时的导通电阻：270 mΩ
- 最大漏极电流（ID）：20A
- 技术：SJ_Multi-EPI
- 封装：TO263

领域和模块应用：

应用示例：
1. 电力电子领域：用于电力转换器、逆变器和变频器等高压应用。
2. 汽车电子模块：适用于汽车电动车辆的电源管理和控制系统。
3. 工业自动化：可用于工厂设备的电源控制和驱动。
4. 太阳能逆变器：用于太阳能发电系统中的逆变器电路。
5. 医疗电子：适用于医疗设备中的功率控制和电源管理模块。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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