MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBL19R15S 产品详细

产品简介:

产品简介:
型号:VBL19R15S
品牌:VBsemi
封装:TO263
特点:单N沟道场效应晶体管,采用SJ_Multi-EPI技术,具有900V的漏源电压(VDS),30V的门源电压(VGS),3.5V的阈值电压(Vth),最大持续漏极电流15A(ID),低通态电阻为420mΩ(VGS=10V)。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

详细参数说明:
- 晶体管类型:单N沟道场效应晶体管
- 漏源电压(VDS):900V
- 门源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 低通态电阻(VGS=10V):420mΩ
- 最大持续漏极电流(ID):15A
- 技术:采用SJ_Multi-EPI技术

领域和模块应用:





产品应用:
该产品适用于以下领域和模块:
1. 电动车辆控制器:由于具有较高的漏源电压和持续漏极电流,适用于电动车辆控制器模块,提供可靠的电动车辆控制。
2. 太阳能逆变器:可用于太阳能逆变器模块,实现太阳能光伏电池板的直流到交流的转换,提供可靠的电能输出。
3. 工业电源模块:适用于工业电源模块,如直流稳压电源和变频器,提供稳定的电源输出。
4. 高压开关电源:可用于高压开关电源模块,实现高效、稳定的开关控制,如高压开关电源和脉冲功率放大器。

以上示例说明了VBL19R15S产品在电动车辆、太阳能、工业电源和高压开关电源等领域的广泛应用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询