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VBL19R11S 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi的VBL19R11S是一款单N沟道功率MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术,封装为TO263。该产品具有高压耐受能力和适中的导通电阻,适用于多种功率应用场合。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBL19R11S
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道功率MOSFET
- 最大漏极-源极电压(VDS):900V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时,漏极-源极电阻(mΩ):580
- 最大漏极电流(ID):11A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO263

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
1. 工业电源模块:VBL19R11S适用于工业电源模块,如变频器、电机驱动器等,提供高效稳定的电力输出。
2. 高压直流输电系统:用于高压直流输电系统中的功率开关模块,实现电能的输送和转换。
3. 汽车电动化系统:在汽车电动化领域,该器件可用于电动汽车的电机控制器、电池管理系统等,提供高效的电力控制。
4. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,VBL19R11S可用于将太阳能电池板输出的直流电转换为交流电,用于家庭和工业用电。
5. 电源管理模块:在各种电源管理模块中,该器件可用于功率控制、电压调节等功能,提高设备的性能和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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