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VBL19R09S 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBL19R09S是VBsemi品牌的单N沟道MOSFET,采用了SJ_Multi-EPI技术,封装为TO263。该产品具有900V的漏极-源极电压(VDS),能够承受±30V的栅极-源极电压(VGS),并具有3.5V的阈值电压(Vth)。在VGS=10V时,具有750mΩ的导通电阻。额定漏极电流(ID)为9A,适用于各种工业和电子应用领域。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBL19R09S
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道MOSFET
- VDS(漏极-源极电压):900V
- VGS(栅极-源极电压):±30V
- Vth(阈值电压):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻:750mΩ
- 额定漏极电流(ID):9A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO263

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 电动汽车电机驱动:VBL19R09S具有较高的漏极电压和额定漏极电流,适用于电动汽车电机驱动系统中的功率开关和电源管理,帮助实现电动汽车的高效运行和动力输出。
2. 工业变频调速控制:在工业变频调速系统中,需要承受高电压和电流的功率开关器件,VBL19R09S可用于变频器中的开关控制,实现电机的调速和节能控制。
3. 太阳能逆变器:VBL19R09S可用作太阳能光伏逆变器的关键部件,帮助实现太阳能能源的高效转换和接入电网,促进可再生能源的利用和推广。
4. 电源模块:由于VBL19R09S具有较高的漏极电压和较低的导通电阻,适用于电源模块中的开关电源、逆变器和变换器等部分,可用于工业控制和电源供应领域。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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