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VBL195R06 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi VBL195R06是一款Single N型MOSFET,具有高达950V的漏极-源极电压(VDS),6A的漏极电流(ID),以及30V的栅极-源极电压(VGS)。采用了Plannar技术,具有可靠的性能和稳定的特性。该产品适用于各种应用场景,提供可靠的功率开关解决方案。

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产品参数:

详细参数说明:
- 型号:VBL195R06
- 品牌:VBsemi
- MOSFET类型:Single N
- 漏极-源极电压(VDS):950V
- 栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.3V
- 在VGS=10V时的导通电阻(mΩ):2400
- 漏极电流(ID):6A
- 技术:Plannar
- 封装:TO263

领域和模块应用:

应用领域和模块举例:
该产品适用于以下领域和模块:
1. 电源管理:用于开关电源、逆变器和DC-DC转换器等电源管理系统中的功率开关。
2. 照明控制:适用于LED照明驱动器、智能照明系统和灯具控制模块。
3. 医疗设备:用于医疗成像设备、生命支持系统和医疗电子仪器中的功率开关控制。
4. 工业自动化:适用于PLC、工业机器人和自动化控制系统中的功率开关控制模块。
5. 汽车电子:用于车载电子系统、电动汽车充电器和车载电池管理系统中的功率开关控制。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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