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VBL195R03 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBL195R03是VBsemi推出的单N沟道功率MOSFET,采用Plannar技术制造,具有稳定性高、性能优异的特点。适用于各种电力电子应用,是电子产品设计中的理想选择。

VBL195R03可广泛应用于各种电力电子设备中,为产品设计提供稳定可靠的电力控制解决方案。

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产品参数:

详细参数说明:
- 额定电压(VDS):950V
- 栅源电压范围(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.3V
- 在VGS=10V时的导通电阻(mΩ):5400
- 最大漏电流(ID):3A

领域和模块应用:


适用领域和模块示例:
1. 电动汽车驱动系统:由于其高额定电压和低导通电阻,VBL195R03适用于电动汽车的驱动系统,可提供高效稳定的功率输出。
2. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,VBL195R03可用作开关管,将太阳能板收集的直流电转换为交流电,为太阳能发电系统提供可靠的能量转换。
3. 工业变频器:VBL195R03适用于工业变频器的功率开关控制模块,实现对电机速度的精准控制,提高生产效率和节能减排。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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