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VBL18R20S 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBL18R20S是VBsemi公司推出的单N沟道功率MOSFET产品,采用SJ_Multi-EPI技术制造,封装为TO263。该产品具有800V的漏极-源极电压(VDS)、30V的门极-源极电压(VGS)、3.5V的门极阈值电压(Vth)等特点。它能够承受最大20A的漏极电流(ID),并且在VGS=10V时具有160mΩ的导通电阻。VBL18R20S适用于各种功率电子应用场景,为电源系统和电气控制提供高效稳定的性能。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBL18R20S
- 品牌:VBsemi
- MOSFET类型:单N沟道
- 漏极-源极电压(VDS):800V
- 门极-源极电压(VGS):±30V
- 门极阈值电压(Vth):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻:160mΩ
- 最大漏极电流(ID):20A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO263

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 电力电子变流器:VBL18R20S可用于电力电子变流器中的功率开关模块,如电机驱动器、交流电源变频器等,实现高效能量转换和电压控制。
2. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,该产品可用于直流到交流的能量转换模块,实现太阳能系统的高效稳定输出。
3. 高性能电源模块:作为高性能电源模块的关键元件,VBL18R20S能够提供高效稳定的电源输出,应用于通信基站、工业自动化等领域。
4. 高频电源应用:在高频电源电路中,该产品可用于功率开关电路,如电子变压器、交流稳压电源等,实现高效能量转换和电压调节。
5. 电动汽车充电设备:作为电动汽车充电设备中的功率开关元件,VBL18R20S能够承受高电压和大电流,实现快速充电和稳定输出。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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