MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBL18R18S 产品详细

产品简介:

### 产品简介:

VBL18R18S是VBsemi品牌推出的单N沟道场效应晶体管产品,具有高性能和可靠性。采用SJ_Multi-EPI工艺制造,封装为TO263,适用于多种应用场合。该产品具有800V的漏极-源极电压(VDS)、30V的门源电压(VGS)、3.5V的阈值电压(Vth)、18A的漏极电流(ID),以及低电阻特性(205mΩ,VGS=10V)。VBL18R18S产品广泛应用于各种领域和模块,为电力电子系统提供了稳定可靠的性能。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

### 详细参数说明:

- **型号:** VBL18R18S
- **品牌:** VBsemi
- **参数:**
- 晶体管类型:单N沟道场效应晶体管
- 漏极-源极电压(VDS):800V
- 门源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 漏极电流(ID):18A
- 电阻(VGS=10V):205mΩ
- 工艺:SJ_Multi-EPI
- **封装:** TO263

领域和模块应用:

### 应用领域和模块举例:

1. **电源模块:** VBL18R18S可广泛应用于各种电源模块中,如开关电源、逆变器和充电器等。其高漏极电压和低电阻特性使其在电源转换和控制中表现优异,能够提供稳定的电源输出。

2. **驱动模块:** 在驱动模块中,VBL18R18S可用作功率放大器或开关控制器的输出级,用于驱动电机、变频器和电动车辆等应用中。其高性能和可靠性确保了系统的高效运行和长期稳定性。

3. **工业自动化:** 该产品适用于工业自动化领域,如工业控制系统、机器人和自动化设备等。其高漏极电压和低电阻特性使其能够承受工业环境中的高电压和大电流,并确保系统的稳定性和可靠性。

4. **电动汽车充电器:** VBL18R18S可用于电动汽车充电器中的功率控制和保护模块,确保充电过程的安全和高效。其高漏极电压和低电阻特性使其能够承受充电过程中的高电压和大电流,并确保充电器的稳定输出。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询