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VBL18R17SE 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBL18R17SE是VBsemi品牌的单N沟道MOSFET,采用了SJ_Deep-Trench技术,封装为TO263。该产品具有800V的漏极-源极电压(VDS),能够承受±30V的栅极-源极电压(VGS),并具有3.5V的阈值电压(Vth)。在VGS=10V时,具有280mΩ的导通电阻。额定漏极电流(ID)为17A,适用于各种工业和电子应用领域。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBL18R17SE
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道MOSFET
- VDS(漏极-源极电压):800V
- VGS(栅极-源极电压):±30V
- Vth(阈值电压):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻:280mΩ
- 额定漏极电流(ID):17A
- 技术:SJ_Deep-Trench
- 封装:TO263

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 电力电子模块:VBL18R17SE具有较高的漏极电压和额定漏极电流,适用于电力电子模块中的开关电源、逆变器和变换器等部分,可用于工业和商业电力系统中。
2. 汽车电子控制:在汽车电子控制系统中,需要承受较高的电压和电流,VBL18R17SE可作为汽车电动系统中的电源开关和控制器,用于驱动电机和管理电池系统。
3. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,逆变器用于将直流电转换为交流电,VBL18R17SE可用作太阳能逆变器的关键部件,帮助实现能源的高效转换。
4. 工业自动化控制:在工业自动化领域,需要可靠的功率开关器件来实现各种功能,VBL18R17SE可用于工业控制模块中的开关控制和电源管理,例如电机驱动、温度控制等。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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