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VBL18R17S 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi的VBL18R17S是一款Single N MOSFET,具有800V的漏极-源极电压(VDS),30V的门极-源极电压(VGS,正负),以及3.5V的门极阈值电压(Vth)。该器件采用SJ_Multi-EPI技术制造,封装为TO263。

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产品参数:

详细参数说明:
- VDS(漏极-源极电压):800V
- VGS(门极-源极电压):±30V
- Vth(门极阈值电压):3.5V
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):220
- 最大漏极电流(ID):17A

领域和模块应用:

该产品适用领域及模块示例:
1. 高压直流稳压器:VBL18R17S的高漏极-源极电压和大电流特性使其适用于高压直流稳压器模块,用于工业和电力系统中的稳定电源输出。
2. 高效率电源模块:在通信和数据中心等领域,VBL18R17S可用于高效率电源模块的功率开关,以实现高效的能量转换和低功耗。
3. 医疗设备:由于其稳定性和可靠性,VBL18R17S可用于医疗设备模块,如X射线发生器和医用超声仪,以提供稳定的电源和高质量的信号处理。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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