VBL18R15S - VBsemi MOS管制造商

VBL18R15S 产品详细

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产品简介：

产品型号VBL18R15S由品牌VBsemi推出，是一款Single N MOSFET，封装为TO263。其主要参数包括：漏极-源极电压（VDS）为800V，栅极-源极电压（VGS）为±30V，阈值电压（Vth）为3.5V。在VGS=10V时，导通时的导通电阻为380mΩ，最大漏极电流为15A。该产品采用SJ_Multi-EPI技术。

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产品参数：

详细参数说明：
- 产品型号：VBL18R15S
- 品牌：VBsemi
- 类型：Single N MOSFET
- 封装：TO263
- 主要参数：
- VDS（漏极-源极电压）：800V
- VGS（栅极-源极电压）：±30V
- 阈值电压Vth：3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻（mΩ）：380
- 最大漏极电流ID：15A
- 技术：SJ_Multi-EPI

领域和模块应用：

该产品适用于以下领域和模块：
- 可再生能源领域：适用于太阳能逆变器中的功率开关模块，用于将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电，实现可再生能源的利用。
- 工业控制系统：可用于工业控制系统中的高压直流变换器的输出级，帮助实现对工业设备的精确控制和调节。
- 电动车充电设备：用于电动车充电设备中的功率开关模块，实现对电动车进行高效快速充电，满足电动车市场的需求。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

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