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VBL18R13S 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBL18R13S是VBsemi公司推出的单N沟道场效应管产品。采用SJ_Multi-EPI技术制造,具有优异的性能和稳定性。该产品适用于各种应用场合,是电子设备制造中的重要元件之一。

VBL18R13S产品在电源逆变器、电动汽车充电器、高压直流输电系统和工业电机驱动等领域的适用性,展示了其广泛的应用前景和潜力。

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产品参数:

详细参数说明:
- 型号:VBL18R13S
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道场效应管
- 封装:TO263
- VDS(漏极-源极电压):800V
- VGS(栅极-源极电压):±30V
- Vth(阈值电压):3.5V
- VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):370
- 最大漏极电流(ID):13A
- 技术:SJ_Multi-EPI

领域和模块应用:

应用领域举例:
1. 电源逆变器模块:VBL18R13S具有800V的漏极-源极电压和13A的最大漏极电流,适用于电源逆变器模块中,能够帮助将直流电转换为交流电,实现电能的有效利用。
2. 电动汽车充电器:由于其高性能和稳定性,该产品可用于电动汽车充电器模块中,帮助实现电动汽车的快速充电和安全运行。
3. 高压直流输电系统:VBL18R13S适用于高压直流输电系统中,能够稳定可靠地控制输电系统的电流和电压,确保电能的安全传输。
4. 工业电机驱动:该产品也可用于工业电机驱动模块中,如电机控制器、变频器等,帮助实现电机的高效运行和精确控制。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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