VBL18R10S - VBsemi MOS管制造商

VBL18R10S 产品详细

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产品简介：

产品型号VBL18R10S是由品牌VBsemi推出的Single N MOSFET，封装为TO263。它具有以下主要参数：VDS（漏极-源极电压）为800V，VGS（栅极-源极电压）为±30V，阈值电压Vth为3.5V。在VGS=10V时，导通时的导通电阻（mΩ）为480，最大漏极电流ID为10A。该产品采用了SJ_Multi-EPI技术。

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产品参数：

详细参数说明：
- 产品型号：VBL18R10S
- 品牌：VBsemi
- 类型：Single N MOSFET
- 封装：TO263
- 主要参数：
- VDS（漏极-源极电压）：800V
- VGS（栅极-源极电压）：±30V
- 阈值电压Vth：3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻（mΩ）：480
- 最大漏极电流ID：10A
- 技术：SJ_Multi-EPI

领域和模块应用：

该产品适用于以下领域和模块：
- 太阳能光伏逆变器：由于具有较高的漏极-源极电压和较大的漏极电流，适用于太阳能光伏逆变器的直流到交流的转换，帮助将光伏板产生的直流电转换为可用的交流电。
- 电动车充电桩：可用于电动车充电桩中的功率开关模块，实现对电动车进行快速充电，满足电动车市场对充电速度和效率的需求。
- 工业电源系统：在工业电源系统中，该产品可用于高压直流变换器的输出级，帮助实现高效能的直流电到交流电的转换。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您

MOSFET

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