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VBL18R07S 产品详细

产品简介:

该产品型号VBL18R07S是由品牌VBsemi推出的Single N MOSFET,封装为TO263。它具有以下主要参数:VDS(漏极-源极电压)为800V,VGS(栅极-源极电压)为±30V,阈值电压Vth为3.5V。在VGS=10V时,导通时的导通电阻(mΩ)为850,最大漏极电流ID为7A。该产品采用了SJ_Multi-EPI技术。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBL18R07S
- 品牌:VBsemi
- 类型:Single N MOSFET
- 封装:TO263
- 主要参数:
- VDS(漏极-源极电压):800V
- VGS(栅极-源极电压):±30V
- 阈值电压Vth:3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻(mΩ):850
- 最大漏极电流ID:7A
- 技术:SJ_Multi-EPI

领域和模块应用:

该产品适用于以下领域和模块:
- 高压直流变换器:由于具有较高的漏极-源极电压和较大的漏极电流,可用于高压直流变换器的输出级。
- 电动汽车驱动系统:在电动汽车的驱动系统中,这种MOSFET可用于功率逆变模块,实现直流电到交流电的转换,驱动电动汽车的电动机。
- 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,该产品可用于将光伏电池板产生的直流电转换为交流电,以供电网使用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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