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VBL18R06SE 产品详细

产品简介:

产品简介:
型号:VBL18R06SE
品牌:VBsemi
封装:TO263
特点:单N沟道场效应晶体管,采用SJ_Deep-Trench技术,具有800V的漏源电压(VDS),30V的门源电压(VGS),3.5V的阈值电压(Vth),最大持续漏极电流6A(ID),低通态电阻为750mΩ(VGS=10V)。

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产品参数:

详细参数说明:
- 晶体管类型:单N沟道场效应晶体管
- 漏源电压(VDS):800V
- 门源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 低通态电阻(VGS=10V):750mΩ
- 最大持续漏极电流(ID):6A
- 技术:采用SJ_Deep-Trench技术

领域和模块应用:

产品应用:
该产品适用于以下领域和模块:
1. LED照明驱动:由于其低通态电阻和适中的漏源电压,可用于LED照明驱动模块,提供高效、稳定的电源输出。
2. 电动工具驱动:具有较高的漏源电压和持续漏极电流,适用于电动工具驱动模块,提供可靠的驱动功率。
3. 电池管理系统:适用于电池管理系统模块,用于电池充放电控制和保护,确保电池系统安全可靠。
4. 电动车辆控制器:由于其高漏源电压和低通态电阻,可用于电动车辆控制器模块,提供高效、可靠的电动车辆控制。

这些示例说明了VBL18R06SE产品在照明、电动工具、电池管理和电动车辆等领域的广泛应用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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