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VBL185R07 产品详细

产品简介:

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VBL185R07是VBsemi生产的单N沟道MOSFET,具有850V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、3.3V的阈值电压(Vth)。采用Plannar技术,封装为TO263。该产品具有高电压承受能力和低导通电阻,适用于各种高性能应用。

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产品参数:

详细参数说明:

- VDS(漏极-源极电压):850V
- VGS(栅极-源极电压):±30V
- Vth(阈值电压):3.3V
- 在VGS=10V时的导通电阻(mΩ):1800mΩ
- 最大漏极电流(ID):7A
- 技术:Plannar
- 封装:TO263

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:

1. 太阳能光伏逆变器:由于具有较高的漏极-源极电压和较低的导通电阻,VBL185R07可用于太阳能光伏逆变器中的功率开关和逆变电路,提高能源转换效率。
2. 电动汽车充电桩:适用于电动汽车充电桩中的功率开关和控制电路,实现高效快速充电。
3. 工业高频电源模块:在工业高频电源模块中,该产品可用于开关电源和直流-交流变换器,满足工业设备对稳定电力的需求。
4. 医疗设备电源:在医疗设备中,VBL185R07可用于高性能电源模块,保证医疗设备的安全和可靠运行。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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