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VBL185R06 产品详细

产品简介:

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VBsemi的VBL185R06型号是一款单通道N沟道功率MOSFET,具有850V的漏极-源极电压(VDS)、6A的漏极电流(ID),以及3.3V的阈值电压(Vth)。采用了Plannar技术,封装为TO263。该MOSFET适用于高压高功率的应用,并具有较高的漏极电流承受能力。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBL185R06
- 品牌:VBsemi
- 类型:单通道N沟道功率MOSFET
- 最大漏极-源极电压(VDS):850V
- 门-源电压(VGS)范围:±30V
- 阈值电压(Vth):3.3V
- 在VGS=10V时的导通电阻(mΩ):2400
- 最大漏极电流(ID):6A
- 技术:Plannar
- 封装:TO263

领域和模块应用:

应用领域举例:
1. 电源逆变器:VBL185R06可用于太阳能逆变器、风能逆变器等电源逆变器模块中,实现直流电到交流电的转换,提供稳定的电能输出。
2. 电动汽车充电桩:在电动汽车充电桩中,需要高压高功率的功率开关器件来实现充电过程的控制和调节,VBL185R06可用作开关元件。
3. 工业控制系统:在工业控制系统中,需要承受高压和高电流的功率器件,VBL185R06可用于各种工业控制模块中的电源管理和开关控制。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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