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VBL185R04 产品详细

产品简介:

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VBsemi的VBL185R04是一款单N沟道功率MOSFET,采用Plannar技术,封装为TO263。该器件具有高压耐受能力和适中的导通电阻,适用于多种功率应用场合。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBL185R04
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道功率MOSFET
- 最大漏极-源极电压(VDS):850V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.3V
- 在VGS=10V时,漏极-源极电阻(mΩ):3800
- 最大漏极电流(ID):4A
- 技术:Plannar
- 封装:TO263

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
1. 电源模块:VBL185R04适用于各种电源模块,如开关电源、稳压电源等,在工业和消费电子产品中广泛应用。
2. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,该器件可用于转换太阳能电池板输出的直流电为交流电。
3. 风能转换系统:该器件可用于风能转换系统中的功率转换模块,将风力发电机输出的直流电转换为交流电。
4. 汽车电动化系统:在汽车电动化领域,VBL185R04可用于电动汽车的电动驱动系统中,如电机控制器、电池管理系统等。
5. 工业自动化设备:在工业自动化设备中,该器件可用于各种功率控制模块和电源模块,以提高设备的性能和稳定性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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