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VBL185R02 产品详细

产品简介:

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VBL185R02是由VBsemi品牌推出的单N沟道功率MOSFET,具有850V的漏极-源极电压(VDS)、30V的门-源电压(VGS)和3.5V的阈值电压(Vth)。采用Plannar技术制造,封装为TO263。该产品适用于多种功率电子应用,具有可靠性和高效能量转换特性。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBL185R02
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道功率MOSFET
- 漏极-源极电压(VDS):850V
- 门-源电压(VGS):30V(正负)
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻(mΩ):6500
- 最大漏极电流(ID):2A
- 技术:Plannar
- 封装:TO263

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
1. 电源变换器:由于其高漏极-源极电压和较低的漏极电流,VBL185R02适用于各种电源变换器,如开关电源、AC-DC转换器等。
2. 电动车充电器:作为电动车充电器中的功率开关元件,该MOSFET可以实现高效的电能转换和充电控制。
3. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,VBL185R02可用于将太阳能电能转换为交流电能,供应给电网或用于独立电力系统。
4. 电力电子变频器:在工业电力电子变频器中,该MOSFET可用于调节电机的转速和控制电机的工作状态。
5. 风能发电系统:作为风能发电系统中的功率开关元件,VBL185R02可以实现风能的高效转换和输出,提供清洁能源。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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