VBL17R20S - VBsemi MOS管制造商

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产品简介：

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VBL17R20S 是由 VBsemi 生产的单 N 沟道 MOSFET。该产品设计用于各种需要高性能和可靠性的应用场合。具有 700V 的 VDS 评级和 20A 的连续漏极电流（ID），采用 SJ_Multi-EPI 技术，确保在各种环境下的稳定和可靠性。

详细参数说明：
- VDS(V)：漏极-源极电压 - 700V
- VGS(±V)：栅极-源极电压（±） - 30V
- Vth(V)：阈值电压 - 3.5V
- VGS=10V(mΩ)：在 VGS=10V 时的导通电阻 - 210 mΩ
- ID (A)：连续漏极电流 - 20A
- Technology：SJ_Multi-EPI

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产品参数：

产品型号：VBL17R20S
品牌：VBsemi
参数：Single N
VDS(V)：700
VGS(±V)：30
Vth(V)：3.5
VGS=10V(mΩ)：210
ID (A)：20
Technology：SJ_Multi-EPI
封装：TO263

领域和模块应用：

应用场景：
VBL17R20S MOSFET 适用于多个领域和模块，以下是一些示例：
- 电源转换器：用于各种类型的电源转换器和逆变器，如开关电源、UPS 电源和太阳能逆变器。
- 电机驱动：适用于各种电机驱动应用，包括电动汽车驱动、工业机械和家用电器。
- 高压应用：可用于需要高电压和高功率的电路和系统，如工业设备、医疗设备和通信基站。
- 高频应用：可用于高频开关电源和射频（RF）电路，如无线通信和雷达系统。
- 电源管理：适用于各种电源管理和电流控制应用，提供稳定的电力输出和高效的能量转换。

VBL17R20S MOSFET 具有高性能和可靠性，适用于多种领域和模块，是工程师们的首选之一。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

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