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VBL17R15SE 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi的VBL17R15SE是一款单N沟道场效应晶体管,采用SJ_Deep-Trench技术制造。它具有700V的漏极-源极电压(VDS),30V的栅极-源极电压(VGS),和3.5V的阈值电压(Vth)。该产品封装为TO263,具有15A的漏极电流(ID)和260mΩ的导通电阻(VGS=10V)。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBL17R15SE
- 品牌:VBsemi
- 结构:单N沟道场效应晶体管
- VDS(漏极-源极电压):700V
- VGS(栅极-源极电压):±30V
- Vth(阈值电压):3.5V
- 导通电阻(VGS=10V):260mΩ
- 漏极电流(ID):15A
- 技术:SJ_Deep-Trench
- 封装:TO263

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 工业电源模块:由于VBL17R15SE具有较高的漏极-源极电压和漏极电流,适用于工业电源模块,如直流电源和变频器。
2. 高压开关模块:其700V的漏极-源极电压使其适用于高压开关模块,用于电力传输和分配系统中的开关装置。
3. 充电器和逆变器:VBL17R15SE的高压耐受性和较大的漏极电流使其成为充电器和逆变器中的理想选择,用于电动汽车充电和太阳能逆变系统。
4. 电动车辆驱动器:该产品可用于电动车辆的驱动器模块,提供高效的电力控制和转换,以实现汽车动力系统的优化。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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