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VBL17R12 产品详细

产品简介:

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VBsemi的VBL17R12是一款单N沟道场效应晶体管,采用Plannar技术制造。它具有700V的漏极-源极电压(VDS),30V的栅极-源极电压(VGS),和3.5V的阈值电压(Vth)。该产品封装为TO263,具有12A的漏极电流(ID)和870mΩ的导通电阻(VGS=10V)。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBL17R12
- 品牌:VBsemi
- 结构:单N沟道场效应晶体管
- VDS(漏极-源极电压):700V
- VGS(栅极-源极电压):±30V
- Vth(阈值电压):3.5V
- 导通电阻(VGS=10V):870mΩ
- 漏极电流(ID):12A
- 技术:Plannar
- 封装:TO263

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 电动汽车驱动器:由于VBL17R12具有较高的漏极电流和稳定的性能,适用于电动汽车驱动器模块,用于控制电动汽车的电力系统,实现高效的驱动和能量转换。
2. 太阳能逆变器:该产品可用于太阳能逆变器中,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电,以供应给家庭和商业用电。
3. 电力电源模块:VBL17R12的高压耐受性和较大的漏极电流使其成为电力电源模块的理想选择,用于工业控制和电力传输系统中的直流电源和逆变器。
4. 高压开关模块:由于其高压承受能力和快速开关特性,该产品适用于高压开关模块,用于电力传输和配电系统中的开关装置,确保电力系统的稳定运行。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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