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VBL17R08SE 产品详细

产品简介:

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VBsemi VBL17R08SE 是一款单N沟道场效应晶体管,具有高达700V的漏极-源极电压(VDS)和8A的漏极电流(ID)。采用SJ_Deep-Trench技术制造,具有可靠的性能和稳定性。封装为TO263,适用于多种应用场合。

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产品参数:

详细参数说明:
- 型号:VBL17R08SE
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道场效应晶体管
- 漏极-源极电压(VDS):700V
- 栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻(mΩ):540
- 漏极电流(ID):8A
- 工艺技术:SJ_Deep-Trench
- 封装:TO263

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
1. 电源模块:由于其高漏极电压和可靠性,适用于开关电源和直流-直流变换器等应用场合。
2. 医疗设备:可用于医疗设备中的电源管理和驱动模块,确保设备的稳定运行。
3. 工业自动化:适用于工业自动化系统中的功率开关模块,提高生产设备的效率和可靠性。
4. 太阳能逆变器:用于太阳能逆变器中的开关模块,转换太阳能电池板的直流输出为交流电。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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