VBL17R07S - VBsemi MOS管制造商

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产品简介：

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VBL17R07S是VBsemi品牌的单N沟道场效应管，具有700V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS），以及3.5V的阈值电压（Vth）。该产品采用SJ_Multi-EPI技术，封装为TO263。其主要特点是具有750mΩ的导通电阻（在VGS=10V时）和7A的漏极电流（ID）。

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产品参数：

详细参数说明：
- 型号：VBL17R07S
- 品牌：VBsemi
- 类型：单N沟道场效应管
- 漏极-源极电压（VDS）：700V
- 栅极-源极电压（VGS）：30V
- 阈值电压（Vth）：3.5V
- 导通电阻（VGS=10V时）：750mΩ
- 漏极电流（ID）：7A
- 技术：SJ_Multi-EPI
- 封装：TO263

领域和模块应用：

适用领域和模块举例：
1. 电源适配器：由于VBL17R07S具有适中的漏极电压和导通电阻，可用于电源适配器中的开关电源控制。
2. LED照明驱动器：产品的高阈值电压和低导通电阻特性使其成为LED照明驱动器中的理想选择，可用于家庭和商业照明应用。
3. 工业控制系统：在工业控制系统中，VBL17R07S可用于开关电源和逆变器，以实现高效能的电能转换和电机控制。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

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