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VBL17R07S 产品详细

产品简介:

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VBL17R07S是VBsemi品牌的单N沟道场效应管,具有700V的漏极-源极电压(VDS),30V的栅极-源极电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。该产品采用SJ_Multi-EPI技术,封装为TO263。其主要特点是具有750mΩ的导通电阻(在VGS=10V时)和7A的漏极电流(ID)。

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产品参数:

详细参数说明:
- 型号:VBL17R07S
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道场效应管
- 漏极-源极电压(VDS):700V
- 栅极-源极电压(VGS):30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 导通电阻(VGS=10V时):750mΩ
- 漏极电流(ID):7A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO263

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 电源适配器:由于VBL17R07S具有适中的漏极电压和导通电阻,可用于电源适配器中的开关电源控制。
2. LED照明驱动器:产品的高阈值电压和低导通电阻特性使其成为LED照明驱动器中的理想选择,可用于家庭和商业照明应用。
3. 工业控制系统:在工业控制系统中,VBL17R07S可用于开关电源和逆变器,以实现高效能的电能转换和电机控制。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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