VBL17R04SE - VBsemi MOS管制造商

VBL17R04SE 产品详细

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产品简介：

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VBL17R04SE 是 VBsemi 生产的单 N 沟道 MOSFET。该产品适用于各种需要高性能和可靠性的应用场合。具有 700V 的 VDS 评级和 4A 的连续漏极电流（ID），采用 SJ_Deep-Trench 技术，确保在各种环境下的稳定和可靠性。

详细参数说明：
- VDS(V)：漏极-源极电压 - 700V
- VGS(±V)：栅极-源极电压（±） - 30V
- Vth(V)：阈值电压 - 3.5V
- VGS=10V(mΩ)：在 VGS=10V 时的导通电阻 - 1200 mΩ
- ID (A)：连续漏极电流 - 4A
- Technology：SJ_Deep-Trench

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产品参数：

参数：Single N
VDS(V)：700
VGS(±V)：30
Vth(V)：3.5
VGS=10V(mΩ)：1200
ID (A)：4
Technology：SJ_Deep-Trench
封装：TO263

领域和模块应用：

应用场景：
VBL17R04SE MOSFET 适用于多个领域和模块，以下是一些示例：
- 电源转换器：用于轻载电源转换器和逆变器，如低功率开关电源、充电器和小型UPS系统。
- 电源管理：适用于低功率电源管理和电流控制应用，提供稳定的电力输出和可靠的性能。
- 电动工具：可用于手持电动工具和家用电器中的电机驱动器和电源开关。
- 汽车电子：应用于汽车电池管理、车辆电气系统和车辆辅助电路。
- LED 照明：适用于 LED 驱动器和照明系统中的电源开关和电流控制。

VBL17R04SE MOSFET 具有稳定的性能和可靠性，适用于多种低功率应用，是工程师们的理想选择。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您

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