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VBL16R41SFD 产品详细

产品简介:

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VBsemi 的 VBL16R41SFD 是一款单 N 型 MOSFET,具有 600V 的漏极-源极电压(VDS),30V 的门源极电压(VGS,正负),和 3.5V 的阈值电压(Vth)。它采用 SJ_Multi-EPI 技术,并且封装为 TO263。

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产品参数:

详细参数说明:

- 漏极-源极电压(VDS): 600V
- 门源极电压(VGS,正负): ±30V
- 阈值电压(Vth): 3.5V
- VGS=10V 时的导通电阻(mΩ): 62
- 最大漏极电流(ID): 41A

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:

- 工业电源模块:由于其高电压和大电流特性,适用于工业电源模块的开关和控制。
- 电动汽车驱动器:VBL16R41SFD 的高电压容忍度和低导通电阻使其成为电动汽车驱动器中的理想选择,用于电机驱动和电池管理。
- 太阳能逆变器:可用于太阳能逆变器中的功率转换和电流控制,以实现高效率的太阳能发电系统。
- 工业自动化系统:适用于工业自动化系统中的开关电源、电机控制和功率管理。
- LED照明驱动器:在LED照明系统中,可以用作驱动器以实现高效的LED光源控制和调节。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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