VBL16R34SFD - VBsemi MOS管制造商

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VBsemi 的 VBL16R34SFD 是一款单 N 型 MOSFET，具有 600V 的漏极-源极电压（VDS），30V 的门源极电压（VGS，正负），和 3.5V 的阈值电压（Vth）。它采用 SJ_Multi-EPI 技术，并且封装为 TO263。

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产品参数：

详细参数说明：

- 漏极-源极电压（VDS）: 600V
- 门源极电压（VGS，正负）: ±30V
- 阈值电压（Vth）: 3.5V
- VGS=10V 时的导通电阻（mΩ）: 80
- 最大漏极电流（ID）: 34A

领域和模块应用：

适用领域和模块举例：

- 太阳能逆变器：由于其高电压容忍度和较高的漏极电流，适用于太阳能逆变器中的功率转换和电流控制。
- 工业自动化系统：可用于工业自动化系统中的电源开关、电机控制和功率管理，确保系统的高效运行。
- 电动车充电器：在电动车充电器中，可以用作开关管以实现高效的能量转换和电池充电管理。
- 高性能电源模块：适用于高性能电源模块，用于电压转换和功率控制，确保系统的稳定性和可靠性。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

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MOSFET

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