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VBL16R34SFD 产品详细

产品简介:

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VBsemi 的 VBL16R34SFD 是一款单 N 型 MOSFET,具有 600V 的漏极-源极电压(VDS),30V 的门源极电压(VGS,正负),和 3.5V 的阈值电压(Vth)。它采用 SJ_Multi-EPI 技术,并且封装为 TO263。

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产品参数:

详细参数说明:

- 漏极-源极电压(VDS): 600V
- 门源极电压(VGS,正负): ±30V
- 阈值电压(Vth): 3.5V
- VGS=10V 时的导通电阻(mΩ): 80
- 最大漏极电流(ID): 34A

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:

- 太阳能逆变器:由于其高电压容忍度和较高的漏极电流,适用于太阳能逆变器中的功率转换和电流控制。
- 工业自动化系统:可用于工业自动化系统中的电源开关、电机控制和功率管理,确保系统的高效运行。
- 电动车充电器:在电动车充电器中,可以用作开关管以实现高效的能量转换和电池充电管理。
- 高性能电源模块:适用于高性能电源模块,用于电压转换和功率控制,确保系统的稳定性和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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