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VBL16R20S 产品详细

产品简介:

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VBsemi 的 VBL16R20S 是一款单 N 型 MOSFET,具有 600V 的漏极-源极电压(VDS),30V 的门源极电压(VGS,正负),和 3.5V 的阈值电压(Vth)。它采用 SJ_Multi-EPI 技术,并且封装为 TO263。

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产品参数:

详细参数说明:

- 漏极-源极电压(VDS): 600V
- 门源极电压(VGS,正负): ±30V
- 阈值电压(Vth): 3.5V
- VGS=10V 时的导通电阻(mΩ): 190
- 最大漏极电流(ID): 20A

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:

- 低功率电源模块:适用于低功率电源模块中的电源开关和功率控制,例如小型家电、消费电子产品等。
- 照明控制器:用于 LED 照明系统中的开关电源和电流控制,以实现高效的照明控制和节能。
- 医疗设备:在医疗设备中,可用作开关管以实现电源管理和设备控制,确保设备的稳定性和安全性。
- 智能家居系统:适用于智能家居系统中的电源管理和设备控制,例如智能插座、智能开关等,提升家居生活的智能化和便利性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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