VBL16R15S - VBsemi MOS管制造商

VBL16R15S 产品详细

描述
参数
应用
技术支持

产品简介：

产品简介：VBsemi的VBL16R15S是一款TO263封装的N沟道场效应晶体管，采用SJ_Multi-EPI技术制造。它具有600V的漏极-源极电压（VDS），15A的漏极电流（ID），30V的门源电压（VGS），3.5V的门阈电压（Vth），以及280mΩ的导通电阻（VGS=10V）。这款产品适用于低功率应用场合。

文件下载

下载PDF 文档

立即下载

点击查看大图

产品参数：

详细参数说明：
- 电压参数：VDS（漏极-源极电压）为600V，VGS（门源电压）为±30V，Vth（门阈电压）为3.5V。
- 电流参数：ID（漏极电流）为15A。
- 技术特性：采用SJ_Multi-EPI技术。
- 导通电阻：在VGS=10V时为280mΩ。
- 封装：TO263。

领域和模块应用：

适用领域和模块举例：
1. 低功率开关模块：适用于低功率开关模块，如家用电源适配器、手机充电器等。
2. 电源管理模块：用于低功率电源管理模块，如智能家居设备、无线传感器网络节点等。
3. LED驱动器：在低功率LED照明产品中，可用于驱动LED灯珠，如小型手电筒、车载灯具等。
4. 电动玩具：适用于低功率的电动玩具驱动模块，如遥控车、无人机等。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您

MOSFET

VBL16R15S 产品详细

产品简介：

文件下载

下载PDF 文档

产品参数：

领域和模块应用：

技术支持：

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

微信咨询

一键置顶