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VBL16R11S 产品详细

产品简介:

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VBL16R11S是VBsemi品牌推出的单N沟道MOSFET,具有600V的漏极-源极电压(VDS),30V的门极-源极电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。它采用SJ_Multi-EPI技术,封装为TO263。

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产品参数:

详细参数说明:

- 产品型号:VBL16R11S
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道MOSFET
- VDS(漏极-源极电压):600V
- VGS(门极-源极电压):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻:380mΩ
- 最大漏极电流(ID):11A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO263

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:

1. 汽车电子:VBL16R11S可用于汽车电子模块,如发动机控制单元(ECU)、车载充电器和电动车辆动力模块,以实现车辆的动力控制和电气系统的稳定性。
2. 工业自动化:在工业控制系统中,该MOSFET适用于电机驱动、开关电源和电力逆变器等模块,用于控制各种工业设备的运行和能源转换。
3. 太阳能发电:用于太阳能逆变器模块,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电,以供电给家庭和商业用途。
4. LED照明:在LED照明系统中,VBL16R11S可用于LED驱动器模块,实现LED灯的亮度调节和节能控制,适用于室内和室外照明应用。

以上是VBL16R11S产品在不同领域和模块中的应用示例。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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