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VBL16R11 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBL16R11是VBsemi生产的单N沟道MOSFET型号。它具有600V的漏极-源极电压(VDS)、30V的门极-源极电压(VGS)、3.5V的门极阈值电压(Vth),以及11A的漏极电流(ID)。采用Plannar技术制造,封装为TO263。

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产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):600V
- 门极-源极电压(VGS):30V
- 门极阈值电压(Vth):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻(mΩ):800
- 漏极电流(ID):11A
- 技术:Plannar

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 电源管理:VBL16R11适用于各种类型的电源管理电路,包括开关电源、直流-直流转换器和逆变器,在工业设备、通信设备和消费电子产品中广泛应用。
2. 电动汽车充电桩:作为充电桩中的功率开关器件,该型号的MOSFET可用于控制电动汽车充电桩中的功率转换和调节,提供高效、稳定的充电功能。
3. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,VBL16R11可用于太阳能逆变器中的功率转换和控制,实现太阳能电能的有效转换和利用。
4. 工业自动化设备:应用于工业自动化设备中的电机驱动和控制模块,提高设备的性能和可靠性,实现精准的运动控制。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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