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VBL16R10 产品详细

产品简介:

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VBL16R10是VBsemi推出的单N沟道MOSFET,采用Plannar技术制造。它具有600V的漏源极电压(VDS)、30V的栅源电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。该产品采用TO263封装,适用于各种功率电子系统。电源管理、电动工具、工业自动化、通信设备以及汽车电子等多个领域和模块,具有广泛的应用前景和市场需求。

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产品参数:

详细参数说明:

1. 漏源极电压(VDS):600V
2. 栅源电压(VGS):±30V
3. 阈值电压(Vth):3.5V
4. 在VGS=10V时的漏源极电阻(mΩ):1000
5. 最大漏极电流(ID):10A
6. 技术:Plannar

领域和模块应用:


适用领域和模块:

1. 电源管理模块:由于VBL16R10具有较高的漏源极电阻和较小的封装尺寸,适用于电源管理模块中的开关电源、DC-DC转换器等,实现高效的能量转换和精确的电源管理。

2. 电动工具:该型号的MOSFET可以应用于电动工具中的功率控制模块,如电动钻、电动锤等,实现稳定的电力输出和可靠的功率控制。

3. 工业自动化:在工业自动化领域,VBL16R10可用于各种控制系统中,如PLC、数控机床等,提供可靠的功率控制和调节功能。

4. 通信设备:适用于通信设备中的功率模块,如基站、通信终端等,提供稳定的电源和高效的能量转换,保障通信设备的稳定运行。

5. 汽车电子系统:VBL16R10适用于汽车电子系统中的功率控制模块,如车载电池管理系统、车载充电器等,实现高效的能量转换和电力管理。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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