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VBL16R07S 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi的VBL16R07S是一款单N沟道场效应晶体管(Single N)产品。其主要特点包括600V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),3.5V的阈值电压(Vth),以及7A的漏极电流(ID)。采用SJ_Multi-EPI技术,封装为TO263。

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产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):600V
- 门-源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻(mΩ):650
- 漏极电流(ID):7A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO263

领域和模块应用:

应用领域和模块示例:
1. 电源逆变器模块:由于VBL16R07S具有较高的漏极-源极电压和较低的导通电阻,适用于电源逆变器模块的设计,如太阳能逆变器、工业逆变器等。
2. 电动汽车充电桩:其高耐压和适中的漏极电流特性使其适用于电动汽车充电桩的功率开关模块。
3. LED照明驱动器:由于TO263封装适合于高功率密度应用,VBL16R07S可用于LED照明驱动器的功率开关模块,提供高效率和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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